2Т847А-5/ИМ
кремниевый биполярный высоковольтный N-P-N транзистор
Бескорпусные кремниевые планарные высоковольтные мощные n-p-n транзисторы 2Т847А-5/ИМ. Поставляются на общей пластине (неразделенными). Предназначенны для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах (ГС), микросборках, блоках, а также для сборки дискретных приборов, обеспечивающих защиту транзисторов от воздействия света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, агрессивных газов и смесей и применяемых в аппаратуре специального назначения.
Совместная разработка
Филиала «ФЗМТ» ОАО «ЦНИИ «Дельфин» и
Филиала "Транзистор" ОАО "Интеграл".Особенности- Категория качества ВП
- Напряжение коллектор-эмиттер 650 В (для условного корпуса КТ-9)
- Граничное напряжение 360 В (для условного корпуса КТ-9)
- Ток коллектора 15 А (для условного корпуса КТ-9)
- Мощность коллектора 125 Вт (для условного корпуса КТ-9)
Техническая спецификацияКонструктивное исполнение- кристаллы на общей пластине (неразделенные)
