Тату Минск »

[Admin]

2Е802А-5
биполярный транзистор с изолированным затвором



Бескорпусные кремниевые планарные биполярные с изолированным затвором (IGBT), поставляемые на общей пластине (неразделенными). Предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах (ГС), микросборках и блоках, а также для сборки дискретных приборов, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, агрессивных газов и смесей. Транзисторы применяются для работы в ключевых устройствах аппаратуры специального назначения.

Совместная разработка Филиала «ФЗМТ» ОАО «ЦНИИ «Дельфин» и Филиала "Транзистор" ОАО "Интеграл".

Особенности

• Категория качества ВП
• Напряжение коллектор-эмиттер 600 В (в составе ГС)
• Ток коллектора 23 А (в составе ГС)
• Мощность коллектора 100 Вт (в составе ГС)

Техническая спецификация

• транзистор 2Е805А-5
• типовые зависимости 2Е805А-5 (для условного корпуса КТ-9)

Ближайший функциональный аналог

• аналог IRG4DC30

Конструктивное исполнение

• кристаллы на общей пластине неразделенные

[Admin]

ОКР "Экскаватор" сдана.
Изделие освоено в серийном производстве.
Ведутся серийные поставки.