ВНИМАНИЕ! Для того, чтобы эта страница отобразилась корректно, пожалуйста, включите в своём браузере поддержку Java Script

Филиал Транзистор ОАО "Интеграл" - О компании - История

Филиал открытого акционерного общества «ИНТЕГРАЛ»

История

История предприятия, основные этапы развития производства

1962г. Постановлением ЦК КПСС и СМ СССР от 29.09.1962 г. № 1000-425 был образован Минский ламповый завод, который распоряжением СМ СССР от 19.02.1966 г. № 318-рс передан в распоряжение Министерства электронной промышленности СССР и получил название Минский завод «Транзистор».

1967г. Освоение производства германиевых высокочастотных транзисторов ГТ322, П401-416, ГТ308, изготавливаемых по сплавно-диффузионной технологии.

1970г. Приказом Министерства электронной промышленности создано производственно-техническое объединение «Интеграл» с включением в его состав Завода полупроводниковых приборов им. Ф. Э. Дзержинского, Минского завода «Транзистор», СКТБ при Заводе полупроводниковых приборов им. Ф. Э. Дзержинского.

1971г. Начало серийного производства кремниевых, эпитаксиально-планарных высокочастотных переключающих транзисторов средней мощности с повышенным быстродействием.

1973г. Начало производства мощных СВЧ-транзисторов для работы в диапазоне частот 1 — 5 ГГц.

1983г. Освоение производства БИС, СБИС, изготавливаемых по КМОП-технологии.

1993г. Освоение производства интегральных микросхем, изготавливаемых по биполярной технологии.

1996г. Приказом Министерства промышленности РБ № 261 от 31.12.1996 года Минский завод «Транзистор» переименован в Государственное предприятие (ГП) «Завод Транзистор». В 1996 году произведено 6,4 миллиона интегральных микросхем и 149,6 миллиона полупроводниковых приборов. Темп роста экспорта составил 133,3% к прошлому году.

1996г. Освоение производства полевых транзисторов, изготавливаемых по ДМОП-технологии.

1999г. УП «Завод Транзистор» успешно прошёл аттестацию на соответствие системы менеджмента качества требованиям ISO 9002. Темп роста товарной продукции составил 121,7%, а экспорта — 108,1%. Рентабельность возросла до 24,9%.

2003г. Освоение производства диодов с барьером Шоттки.

2005г. Освоение технологии производства мощных биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT).

2005-2006гг. Освоение производства гаммы интегральных стабилизаторов с фиксированным и регулируемым выходным напряжением, низким остаточным напряжением и током нагрузки от 250 мА до 10А. Предприятие приступило к отработке техпроцесса изготовления тиристоров.

2010г. Открытым акционерным обществом «ИНТЕГРАЛ» на базе УП «Завод Транзистор» создано обособленное структурное подразделение – Филиал «Транзистор».

Филиал «Транзистор» продолжает уверенное движение вперёд, наращивая объёмы производства и объёмы экспортных поставок. Большое внимание уделяется разработке и освоению производства новых изделий и внедрению в производство новых технологий.

Контакты

Контактная информация

Республика Беларусь, 220108,
г. Минск, ул. Корженевского, 16

ОАО «ИНТЕГРАЛ» Филиал «Транзистор»
Республика Беларусь, 220108
г.Минск, ул. Корженевского, 16
Все права защищены © 2006-2017
  Правовая информация
  Карта сайта